微電子器件基礎(chǔ)

第1章 PN結(jié)二極管
第1節(jié) PN結(jié)雜質(zhì)濃度分布
1 突變結(jié)
2 緩變結(jié)
第2節(jié) 平衡PN結(jié)
1 空間電荷區(qū)
2 能帶圖
3 接觸電勢(shì)差
4 載流子濃度
第3節(jié) PN結(jié)空間電荷區(qū)電場(chǎng)和電位分布
1 突變結(jié)
2 線(xiàn)性緩變結(jié)
3 耗盡層近似討論
第4節(jié) PN結(jié)勢(shì)壘電容
1 突變結(jié)勢(shì)壘電容
2 線(xiàn)性緩變結(jié)勢(shì)壘電容
第5節(jié) PN結(jié)直流特性
1 PN結(jié)非平衡載流子注入
2 PN結(jié)反向抽取
3 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)和載流子濃度
4 直流電流電壓方程
5 影響PN結(jié)直流特性的其他因素
6 溫度對(duì)PN結(jié)電流電壓的影響
第6節(jié) PN結(jié)小信號(hào)交流特性與開(kāi)關(guān)特性
1 小信號(hào)交流特性
2 開(kāi)關(guān)特性
第7節(jié) PN結(jié)擊穿特性
1 基本擊穿機(jī)構(gòu)
2 雪崩擊穿電壓
3 影響雪崩擊穿電壓的因素
習(xí)題一
第2章 特殊二極管
第1節(jié) 變?nèi)荻O管
1 PN結(jié)電容和變?nèi)荻O管
2 電容電壓特性
3 變?nèi)荻O管基本特性
4 特殊變?nèi)荻O管
第2節(jié) 隧道二極管
1 隧道過(guò)程的定性分析
2 隧道幾率和隧道電流
3 等效電路及特性
4 反向二極管
第3節(jié) 雪崩二極管
1 崩越二極管工作原理
2 崩越二極管的特性
3 幾種崩越二極管
4 俘越二極管
5 勢(shì)越二極管
習(xí)題二
第3章 晶體管的直流特性

第1節(jié) 晶體管基本結(jié)構(gòu)與放大機(jī)理
1 晶體管結(jié)構(gòu)與雜質(zhì)分布
2 晶體管放大機(jī)理
第2節(jié) 晶體管直流電流電壓方程
1 均勻基區(qū)晶體管
2 緩變基區(qū)晶體管
第3節(jié) 晶體管電流放大系數(shù)與特性曲線(xiàn)
1 電流放大系數(shù)
2 特性曲線(xiàn)
3 電流放大系數(shù)理論分析
4 影響電流放大系數(shù)的其他因素
第4節(jié) 晶體管反向電流與擊穿電壓
1 晶體管反向電流
2 晶體管擊穿電壓
第5節(jié) 晶體管基極電阻
1 梳狀晶體管基極電阻
2 圓形晶體管基極電阻
習(xí)題三
第4章 晶體管頻率特性與開(kāi)關(guān)特性
第1節(jié) 晶體管頻率特性理論分析
1 晶體管頻率特性參數(shù)
2 共基極電流放大系數(shù)與截止頻率
3 共射極電流放大系數(shù)與頻率參數(shù)
第2節(jié) 晶體管高頻參數(shù)與等效電路
1 交流小信號(hào)電流電壓方程
2 晶體管y參數(shù)方程及其等效電路
3 晶體管^參數(shù)方程及其等效電路
4 晶體管高頻功率增益和最高振蕩頻率
第3節(jié) 晶體管的開(kāi)關(guān)過(guò)程
1 開(kāi)關(guān)晶體管靜態(tài)特性
2 晶體管的開(kāi)關(guān)過(guò)程
3 晶體管的開(kāi)關(guān)參數(shù)
第4節(jié) Ebers—Moll模型和電荷控制方程
1 Ebers—Moll模型及等效電路
2 電荷控制方程
第5節(jié) 晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間
1 延遲時(shí)間
2 上升時(shí)間
3 存儲(chǔ)時(shí)間
4 下降時(shí)間
習(xí)題四
第5章 晶體管的功率特性
第1節(jié) 基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)
1 注入對(duì)基區(qū)栽流子分布的影響
2 大注入對(duì)電流放大系數(shù)的影響
3 大注入對(duì)基區(qū)渡越時(shí)間的影響
4 大注入臨界電流密度
第2節(jié) 有效基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)
1 注入電流對(duì)集電結(jié)空間電荷區(qū)電場(chǎng)分布的影響
2 基區(qū)擴(kuò)展

第3節(jié) 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)
1 基區(qū)橫向壓降
2 發(fā)射極有效條寬
3 發(fā)射極單位周長(zhǎng)電流容量
4 發(fā)射極金屬條長(zhǎng)
第4節(jié) 晶體管最大耗散功率
1 耗散功率和最高結(jié)溫
2 晶體管的熱阻
3 晶體管最大耗散功率
第5節(jié) 品體管二次擊穿和安全工作區(qū)
1 二次擊穿現(xiàn)象
2 二次擊穿的機(jī)理和防止二次擊穿的措施
3 晶體管的安全工作區(qū)(SOA)
習(xí)題五
第6章 晶閘管
第1節(jié) 晶閘管基本結(jié)構(gòu)與工作原理
1 基本結(jié)構(gòu)及靜態(tài)分析
2 工作原理
3 電流電壓特性
第2節(jié) 晶閘管導(dǎo)通特性
1 定性描述
2 導(dǎo)通特性曲線(xiàn)的不同區(qū)域
3 影響導(dǎo)通特性的其他因素
第3節(jié) 晶閘管阻斷能力
1 反向阻斷能力
2 正向阻斷能力
3 表面對(duì)阻斷能力的影響
第4節(jié) 晶閘管關(guān)斷特性
1 載流子存儲(chǔ)效應(yīng)
2 改善關(guān)斷特性的措施
第5節(jié) 雙向晶閘管
1 二極晶閘管
2 控制極結(jié)構(gòu)及觸發(fā)
習(xí)題六
第7章 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
第l節(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)、分類(lèi)和特性曲線(xiàn)
1 MOSFET的結(jié)構(gòu)
2 MOSFET的類(lèi)型
3 MOSFEF的特性曲線(xiàn)
第2節(jié) MOSFET的閾值電壓
1 閡值電壓的定義
2 理想MOSFET閡值電壓
3 MOSFET閾值電壓
第3節(jié) MOSFET電流電壓特性
1 線(xiàn)性工作區(qū)電流電壓特性
2 飽和工作區(qū)電流電壓特性
3 擊穿區(qū)
4 亞閾值區(qū)的電流電壓關(guān)系
第4節(jié) MOSFET的二級(jí)效應(yīng)
1 遷移率變化效應(yīng)

2 襯底偏置效應(yīng)
3 體電荷變化效應(yīng)
第5節(jié) MOSFET的頻率特性
1 增量參數(shù)
2 小信號(hào)特性與等效電路
3 截止頻率
第6節(jié) MOSFET的功率特性
1 MOSFET的極限參數(shù)
2 功率MOSFET的結(jié)構(gòu)
第7節(jié) MOSFET的溫度特性
1 溫度對(duì)載流子遷移率的影響
2 溫度對(duì)閾值電壓的影響
3 溫度對(duì)漏源電流的影響
4 溫度對(duì)跨導(dǎo)和漏導(dǎo)的影響
第8節(jié) MOSFET的小尺寸特性
1 短溝道效應(yīng)
2 窄溝道效應(yīng)
3 等比例縮小規(guī)則
習(xí)題七
第8章 光電器件與電荷耦合器件
第1節(jié) 光電效應(yīng)
1 半導(dǎo)體的光吸收
2 半導(dǎo)體光電效應(yīng)
第2節(jié) 光電池
1 基本結(jié)構(gòu)和主要參數(shù)
2 PN結(jié)光電池
3 異質(zhì)結(jié)光電池
4 金屬一半導(dǎo)體結(jié)光電池
5 太陽(yáng)能電池
第3節(jié) 光敏晶體管
1 光敏二極管
2 光敏三極管
3 光敏場(chǎng)效應(yīng)管
4 光控可控硅
第4節(jié) 電荷耦合器件
1 工作原理
2 輸入與輸出
3 基本特性
4 CCD攝像器件
習(xí)題八
附錄
一、常用物理常數(shù)表
二、鍺、硅、砷化鎵、二氧化硅的重要性質(zhì)(300K)
三、硅與幾種金屬的歐姆接觸系數(shù)RC
四、鍺、硅電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系
五、遷移率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系
六、擴(kuò)散結(jié)勢(shì)壘寬度和結(jié)電容曲線(xiàn)
參考文獻(xiàn)