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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　簡(jiǎn)體字中文版出版者的話《微電子材料與制程》一書是在臺(tái)灣宏康科技股份有限公司謝泳芬博士的大力推動(dòng)和臺(tái)灣材料科學(xué)學(xué)會(huì)的大力支持下，才于2004年的仲夏時(shí)節(jié)進(jìn)入簡(jiǎn)體字中文版的翻譯和出版日程。我們復(fù)旦大學(xué)出版社非常感謝臺(tái)灣朋友的信任和支持。本書在出版過程中得到了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)系的大力幫助，值此出版之機(jī)，我們表示衷心的感謝。李炳宗教授、茹國(guó)平教授、屈新萍副教授在百忙之中為本書的引進(jìn)提供了寶貴的專家意見，林殷茵副教授和張軍鷹工程師在休息日專程安排關(guān)于本書的討論會(huì)，這些都讓我們難以忘記。業(yè)實(shí)集成電路（上海）有限公司的楊燕小姐為本書的引進(jìn)出版做了許多具體而細(xì)致的落實(shí)工作。復(fù)芯微電子技術(shù)咨詢有限公司的楊秋冬先生負(fù)責(zé)本書的編校工作，并及時(shí)閱讀校定本書的清樣。業(yè)實(shí)的郭首一先生在接管這一項(xiàng)目的過程中也付出很多勞動(dòng)。沒有他們的努力，我們很難在這么短的時(shí)間里向讀者呈獻(xiàn)這本書。業(yè)實(shí)和復(fù)芯微電子的支持，也是我們能夠盡快出版簡(jiǎn)體中文版的原因之一?？紤]到本書的讀者對(duì)象是微電子專業(yè)的本科生和研究生以及相關(guān)領(lǐng)域的工程師，本書在制作簡(jiǎn)體字中文版的過程中，全盤復(fù)制和保留了臺(tái)灣英杰企業(yè)有限公司版圖書的圖表和文獻(xiàn)的處理方式，由于全書各章由不同作者撰稿，各章作者對(duì)書中圖表內(nèi)的英文術(shù)語(yǔ)有譯成中文的，也有未譯成中文的，也有中英文混用的，正文中的物理符號(hào)則采用正體字母，計(jì)量單位也采取行業(yè)規(guī)范。這雖然不符合內(nèi)地的出版規(guī)范，但對(duì)我們來說，這樣做一來可以讓讀者感受原書的風(fēng)貌，二來可以讓我們盡快地出版本書，因此敬請(qǐng)廣大讀者和出版管理部門諒解。謹(jǐn)以此書的出版作為我們和臺(tái)灣材料科學(xué)學(xué)會(huì)合作的開始，謹(jǐn)以此書的出版作為我們和微電子領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者合作的開始。復(fù)旦大學(xué)出版社2005.01.25

作者簡(jiǎn)介

　　陳力?。ǖ谝徽?、第七章、第八章）美國(guó)柏克萊加州大學(xué)博士（臺(tái)灣）清華大學(xué)材料科學(xué)工程學(xué)系教授

圖書目錄

序言編者序作者簡(jiǎn)介第一章概覽 1-1 微電子工業(yè) 1-2 微電子材料 1-3 材料的電性 1-4 硅晶集成電路 1-5 集成電路工藝 1-6 微電子材料特性 1-7 微電子材料的應(yīng)用 1-8 未來挑戰(zhàn)與展望參考文獻(xiàn) 習(xí) 題第二章半導(dǎo)體基本理論 2-1 簡(jiǎn)介 2-2 晶體結(jié)構(gòu) 2-3 能帶結(jié)構(gòu) 2-4 有效質(zhì)量與電子輸運(yùn)性質(zhì) 2-5 電子濃度與費(fèi)米分布 2-6 異質(zhì)半導(dǎo)體（Extrinsic Semiconductor） 2-7 半導(dǎo)體的界面參考文獻(xiàn) 習(xí) 題第三章硅晶圓材料制造技術(shù) 3-1 簡(jiǎn)介 3-2 多晶硅原料 3-3 單晶生長(zhǎng)設(shè)備 3-4 單晶生長(zhǎng)程序及相關(guān)理論 3-5 晶圓加工成形（Modification） 3-6 晶圓拋光（Polishing） 3-7 晶圓清洗（Water Cleaning）參考文獻(xiàn) 習(xí) 題第四章硅晶薄膜 4-1 簡(jiǎn)介 4-2 硅晶薄膜工藝原理及反應(yīng)機(jī)制 4-3 硅外延（Epitaxial Si） 4-4 多晶硅（Poly-Si） 4-5 非晶硅（Amorphous Si） 4-6 結(jié)論參考文獻(xiàn) 習(xí) 題第五章半導(dǎo)體刻蝕技術(shù) 5-1 簡(jiǎn)介 5-2 濕法刻蝕技術(shù) 5-3 干法刻蝕技術(shù) （等離子體刻蝕技術(shù)） 5-4 金屬刻蝕（Metal Etch） 5-5 總結(jié) 參考文獻(xiàn) 習(xí) 題第六章光刻技術(shù) 6-1 簡(jiǎn)介 6-2 光刻方式 6-3 光刻掩模版與模板參考文獻(xiàn) 習(xí) 題第七章離子注入 7-1 前言 7-2 離子注入設(shè)備 7-3 離子注入的基本原理 7-4 離子分布與模擬方法 7-5 離子注入造成的硅襯底損傷與熱退火 7-6 離子注入在集成電路制造上的應(yīng)用 7-7 離子注入工藝實(shí)務(wù) 7-8 結(jié)束語(yǔ) 參考文獻(xiàn) 習(xí) 題第八章金屬薄膜與工藝 8-1 簡(jiǎn)介 8-2 金屬接觸 8-3 柵電極（Gate Electrode） 8-4 器件間互連（Interconnect） 8-5 栓塞（Plug） 8-6 擴(kuò)散阻擋層 8-7 黏著層（Adhesion Layer） 8-8 抗反射覆蓋層（Anti-Reflection Coating） 8-9 工藝整合問題 8-10 銅金屬化 8-11 展望參考文獻(xiàn) 習(xí) 題第九章氧化，介電層 9-1 簡(jiǎn)介 9-2 氧化層的形成方法 9-3 特殊電介質(zhì) 9-4 氧化電介質(zhì)的電性及物質(zhì)特性 9-5 氧化電介質(zhì)的應(yīng)用 9-6 結(jié)束語(yǔ) 參考文獻(xiàn) 習(xí) 題第十章電子封裝技術(shù) 10-1 前言 10-2 芯片粘結(jié) 10-3 互連技術(shù) 10-4 引腳架 10-5 薄/厚膜技術(shù) 10-6 陶瓷封裝 10-7 封裝的密封 10-8 塑料封裝 10-9 印刷電路板 10-10 焊錫與錫膏 10-11 器件與電路板的接合 10-12 清潔與涂封 10-13 新型封裝技術(shù) 參考文獻(xiàn) 習(xí) 題第十一章材料分析技術(shù)在集成電路工藝中的應(yīng)用 11-1 簡(jiǎn)介 11-2 材料分析技術(shù) 11-3 集成電路工藝模塊的觀察實(shí)例 11-4 各種IC產(chǎn)品的基本結(jié)構(gòu) 11-5 結(jié)束語(yǔ) 參考文獻(xiàn) 習(xí) 題中英文索引英中文索引