半導體器件物理與工藝（第2版）

第1章　簡介
1.1　半導體器件
1.2　半導體工藝技術(shù)
總結(jié)
參考史獻
第1部分　半導體物理
第2章　熱平衡時的能帶和載流于濃度
2.1　半導體捌料
2.2　基本晶體結(jié)構(gòu)
2.3　基本晶體生長技術(shù)
2.4　共價健
2.5　能帶
2.6　本征載流子濃度
2.7　施主與受主
總結(jié)
參考文獻
習題
第3章　載流子輸運現(xiàn)象
3.1　載流子漂移
3.2　載流子擴散
3.3　產(chǎn)生與復合過程
3.4　連續(xù)性方程斌
3.5　熱電子發(fā)射過程
3.6　隧穿過程
3.7　強電場效應
總結(jié)
參考文獻
習題
第2部分　半導體器件
第4章　p-n結(jié)
4.1　基本工藝步驟
4.2　熱平衡狀態(tài)
4.3　耗盡區(qū)
4.4　耗盡層勢壘電容
4.5　電流-電壓特性
4.6　電荷儲存與暫態(tài)響應
4.7　結(jié)擊穿
4.8　異質(zhì)結(jié)
總結(jié)
參考文獻
習題
第5章　雙極型晶體管及相關(guān)器件
5.1　晶體管的工作原理
5.2　雙極型晶體管的靜態(tài)特性
5.1　雙極型晶體管的頻率響應與開關(guān)特性
5.4　異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
5.5　可控砟器件及相關(guān)功率器件
總結(jié)
參考文獻
習題
第6章　M0SFET及相關(guān)器件
6.1　MOS二極管
6.2　MOSFET基本原理
6.3　MOSFET按比例縮小
6.4　CMOS與雙極型CMoS（BiCMOS）
6.5　絕緣層上MOSPET（SOI）
6.6　MOS存儲器結(jié)構(gòu)
6.7　功率M05FET
總結(jié)
參號文獻
習題
第7章　MEsFET及相關(guān)器件
7.1　金屬-半導體接觸
7.2　金十場效應晶體管（MESFET）
7.3　調(diào)制摻雜場效應晶體管
總結(jié)
參考文獻
習題
第8章　微波二極管、量子效應和熱電子器件
8.1　基奉微波技術(shù)
8.2　隧道二極管
8.3　碰撞電離雪崩渡越時間二極管
……
第9章　光電器件
第3部分　半導體工藝
第10章　晶體長生外延
第11章　薄膜淀積
第12章　圖形曝光與刻蝕
第13章　雜質(zhì)摻雜
第14章　集成器件
附表
索引