鐵電存儲器

1  導(dǎo)  言
  1.1  鐵電體的基本性質(zhì)：體材料
  1.1.1  朗道—德馮謝亞理論
  1.1.2  軟模理論
  1.1.3  臨界指數(shù)
  1.1.4  三臨界點
  1.1.5  無公度鐵電體和ANNNI模型
  1.2  鐵電薄膜：退極化場和有限尺寸效應(yīng)
  1.2.1  小顆粒..
2  RAM的基本性質(zhì)
  2.1  系統(tǒng)設(shè)計
  2.2  實際器件
  2.3  測試
  2.3.1  脈沖壩fJ試
  2.3.2  i(t)瞬態(tài)電流
  2.3.3  漏電流測試
  2.3.4  保持測試
  2.3.5  Ep記測試
  2.3.6  電容—電壓關(guān)系C(y)測試
3  DRAM和NV-RAM的電擊穿
  3.1  熱擊穿機制
  3.2  Von Hippel方程
  3.3  枝晶狀擊穿
  3.4  擊穿電壓不對稱和漏電流不對稱
4  漏電流
  4.1  Schottky發(fā)射
  4.2  鐵電薄膜Schottky理論的修正
  4.3  電荷注入
  4.4  空間電荷限制電流SCLC
  4.5  負電阻率
5  電容·電壓關(guān)系C(y)
  5.1  支持薄耗盡層的方面
  5.1.1  Richardson系數(shù)A一
  5.1.2  Schottky勢壘高度對電子親和勢的依賴
  5.1.3  出現(xiàn)在Schottky方程中的介電常數(shù)
  5.1.4  Schottky修正的SCLC理論
  5.1.5  空間電荷限制電流
  5.2  支持完全耗盡薄膜的論據(jù)
  5.3  Zuleeg-Dey模型
  5.4  混合模型
  5.5  基于XPS的能帶結(jié)構(gòu)匹配關(guān)系
  5.6  離子空間電荷限制電流
6  開關(guān)動力學(xué)
7  電荷注入和疲勞
  7.1  Dawber模型
  7.2  鈣鈦礦鐵電體中氧空位有序的疲勞機制
8  頻率依賴
  8.1  1shibashi—Orihara理論
  8.2  界面效應(yīng)
9  制備過程中的相序
  9.1  Sr缺損的優(yōu)化薄膜
  9.2  Bi元素的作用
10  SBT族Aurivillius相層狀結(jié)構(gòu)
  10.1  RBS研究
  10.2  重離子束研究
  10.3  表面科學(xué)技術(shù)(XPS，UPS)
11  淀積和工藝
  11.1  溶膠—凝膠旋涂淀積
  11.2  濺射
  11.3  金屬—有機化學(xué)汽相淀積MOCVD’
  11.4  脈沖激光淀積PLD
  11.5  金屬—有機分解MOD
  11.6  分子束外延MBE
12  非破壞性讀出器件
  12.1  鐵電場效應(yīng)管(FET)
13  基于超導(dǎo)體的鐵電器件：相控陣雷達和
  IOGHz一100GHz器件
14  薄膜黏結(jié)
15  電子發(fā)射和平面顯示器
“  光學(xué)器件
17  納米相器件
  17.1  刻蝕
  17.2  表面液滴外延
  17.3  利用Ei表面液滴優(yōu)化SBT的化學(xué)配比
  17.4  邊緣場
  17.5  鈦酸鉍
18  缺點和不足
  18.1  高制備溫度
  18.2  毒性
  18.3  表面和界面現(xiàn)象
  18.4  半選擇干擾脈沖
  18.5  疲勞
  18.6  印記
  18.7  尺度
  18.8  短期瞬態(tài)電流
  18.9  擊穿
  18.10  漏電流
  18.11  抗輻照強度
  18.12  前景
習(xí)題
參考文獻
索引