微電子概論

第1章 概論
1．1 微電子技術和集成電路的發(fā)展歷程
1．1．1 電子技術與半導體集成電路
1．1．2 發(fā)展歷程
1．1．3 發(fā)展特點和技術經(jīng)濟規(guī)律
1．2 集成電路的分類
1．2．1 按電路功能分類
1．2．2 按電路結(jié)構(gòu)分類
1．2．3 按有源器件結(jié)構(gòu)和工藝分類
1．2．4 按電路的規(guī)模分類
1．3 集成電路制造特點和本書學習要點
1．3．1 電路系統(tǒng)設計
1．3．2 版圖設計和優(yōu)化
1．3．3 集成電路的加工制造
1．3．4 集成電路的封裝
1．3．5 集成電路的測試和分析
第2章 集成器件物理基礎
2．1 半導體及其能帶模型
2．1．l 半導體及其共價鍵結(jié)構(gòu)
2．l．2 半導體的能帶模型
2．1．3 費米分布函數(shù)
2．2 半導體的導電性
2．2．1 本征半導體
2．2．2 非本征載流子
2．2．3 半導體中的漂移電流
2．2．4 半導體中的擴散電流
2．2．5 半導體中的電流
2．2．6 半導體基本方程
2．3 PN結(jié)和晶體二極管
2．3．1 平衡狀態(tài)下的PN結(jié)
2．3．2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?br />2．3．3 理想PN結(jié)模型及其伏－安特性
2．3．4 PN結(jié)電容
2．3．5 PN結(jié)擊穿
2．3．6 二極管等效電路模型和二極管應用
2．3．7 PN結(jié)應用
2．3．8 其他半導體二極管
2．4 雙極型晶體管
2．4．l 雙極晶體管的直流放大原理
2．4．2 影響晶體管直流特性的其他因素
2．4．3 晶體管的擊穿電壓
2．4．4 晶體管的頻率特性
2．4．5 晶體管模型和模型參數(shù)
2．4．6 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）
2．5
JFIZT與MESFET器件基礎
2．5．1 器件結(jié)構(gòu)與電流控制原理
2．5．2 JFET直流輪出特性的定性分析
2．5．3 JFET的直流轉(zhuǎn)移特性
2．5．4 JFET的器件類型和電路符號
2．5．5 JFET直流特性定量表達式
2．5．6 JFET等效電路和模型參數(shù)
2．6 MOS場效應晶體管
2．6．1 MOS晶體管結(jié)構(gòu)
2．6．2 MOS晶體管工作原理
2．6．3 MOS晶體管直流伏安特性定量結(jié)果
2．6．4 MOS晶體管的閾值電壓
2．6．5 MOS晶體管特點
2．6．6 MOS晶體管模型和模型參數(shù)
2．6．7 硅柵MOS結(jié)構(gòu)和自對準技術
2．6．8 高電子遷移率晶體管（HEMT）
習題
第3章 集成電路制造工藝
3．1 硅平面工藝基本流程
3．1．l 平面工藝的基本概念
3．1．2 PN結(jié)隔離雙極 ICI藝基本流程
3．1．3 平面工藝中的基本工藝
3．2 氧化工藝
3．2．1 SiQ2薄膜在集成電路中的作用
3．2．2 SiQ2生長方法
3．2．3 氮化硅薄膜的制備
3．2．4 SiQ2膜質(zhì)量要求和檢驗方法
3．2．5 氧化技術面臨的挑戰(zhàn)
3．3 摻雜方法之一——擴散工藝
3．3．1 擴散原理
3．3．2 常用擴散方法簡介
3．3．3 擴散層質(zhì)量檢測
3．3．4 擴散工藝與集成電路設計的關系
3．4 摻雜方法之二——離子注入技術
3．4．1 離子注入技術的特點
3．4．2 離子注入設備
3．4．3 離子注入雜質(zhì)分布
3．5 光刻工藝
3．5．1 光刻工藝的特征尺寸——工藝水平的標志
3．5．2 光刻工藝過程
3．5．3 超微細圖形曝光技術
3．6 制版工藝
3．6．1 集成電路生產(chǎn)對光刻版的質(zhì)量要求
3．6．2 制版工藝過程
3．6．3 光刻掩模版的檢查
3．7 外延工藝
3．7．l 外延生長原理
3．7．2 外延層質(zhì)量要求
3．7．3 外延新技術
3．8 金屬化工藝
3．8．1 金屬材料的選用
3．8．2 金屬層淀積工藝
3．8．3 金屬化互連系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
3．8．4 合金化
3．9 引線封裝
3．9．1 鍵合
3．9．2 封裝
3．10 隔離技術
3．10．1 雙極IC中的基本隔離技術——PN結(jié)隔離
3．10．2 雙極IC中的介質(zhì)——PN結(jié)混合隔離
3．10．3 雙極IC中的介質(zhì)隔離
3．10．4 MOS IC的隔離
3．11 絕緣物上硅
3．11．1 SOI技術
3．11．2 注氧隔離技術（SIMOX）
3．11．3 硅片粘合技術（Wafer Bonding Technique）
3．12 CMOS集成電路工藝流程
3．12．1 CMOS工藝
3．12．2 典型 N阱 CMOS工藝流程
第4章 集成電路設計
4．1 集成電路中的無源元件與互連線
4．1．1 電容器
4．1．2 電阻器
4．1．3 集成電路中的電阻模型
4．l．4 集成電路互連線
4．2 雙極集成器件和電路設計
4．2．1 雙極晶體管的寄生參數(shù)
4．2．2 縱向結(jié)構(gòu)設計
4．2．3 橫向結(jié)構(gòu)設計
4．2．4 按比例縮小原則
4．2．5 雙極PNP晶體管及設計
4．2．6 雙極集成電路版圖設計
4．2．7 版圖設計實例
4．3 MOS集成器件和電路設計
4．3．1 硅柵 CMOS器件
4．3．2 寄生電阻
4．3．3 寄生電容
4．3．4 版圖設計實例
4．4 雙極和MOS集成電路比較
4．4．1 制造工藝
4．4．2 互連
4．4．3 集成度
4．4．4 性能比較
習題
第5章 微電子系統(tǒng)設計
5．l 雙極數(shù)字電路單元電路設計
5．1．1 TTL電路
5．1．2 ECL電路
5．1．3 I2L電路
5．2 MOS數(shù)字電路單元電路設計
5．2．1 NMOS電路
5．2．2 CMOS邏輯電路
5．3 半導體存儲器電路
5．3．1 隨機存取存儲器
5．3．2 掩模編程 ROM
5．3．3 半導體存儲器的比較
5．4 專用集成電路（ASIC）設計方法
5．4．1 專用集成電路設計目的和分類
5．4．2 版圖符號布圖方法
5．4．3 門陣列設計方法
5．4．4 可編程邏輯器件設計方法
5．4．5 標準單元設計方法
5．4．6 PLD和LCA
習題
第6章 集成電路計算機輔助設計
6．1 計算機輔助設計的基本概念
6．1．1 計算機輔助設計（CAD）和設計自動化（DA）
6．1．2 CAD技術的優(yōu)點
6．1．3 集成電路正向CAD過程
6．1．4 ICCAD系統(tǒng)
6．1．5 集成電路的逆向設計
6．2 電路和系統(tǒng)設計描述
6．2．1 電路和系統(tǒng)設計的描述
6．2．2 OrCAD／Capture CIS軟件
6．2．3 電路圖繪制模塊 Page Editor
6．2．4 電路設計的后處理
6．2．5 元器件符號庫和建庫模塊（Part Editor）
6．2．6 元器件符號標準
6．3 電路模擬
6．3．1 電路模擬程序的作用和基本結(jié)構(gòu)
6．3．2 PSpice軟件的基本電路特性分析功能
6．3．3 PSpice軟件的參數(shù)掃描分析功能
6．3．4 Pspice軟件的統(tǒng)計模擬功能
6．3．5 PSpice軟件的邏輯模擬和數(shù)模混合模擬功能
6．3．6 電路優(yōu)化設計
6．3．7 模擬結(jié)果的分析處理——Probe模塊
6．4 計算機輔助版圖設計
6．4．1 版圖圖形生成
6．4．2 版圖驗證和分析
6．4．3 版圖數(shù)據(jù)文件生成
6．4．4 微機用版圖設計軟件L－EDIT
6．4．5 版圖數(shù)據(jù)中間格式CIF
6．5 工藝模擬和器件模擬
6．5．1 工藝模擬
6．5．2 器件模擬
6．6 數(shù)字集成電路和系統(tǒng)的CAD
6．6．1 硬件描述語言 HDL（hardware Description Language）
6．6．2 系統(tǒng)級綜合
6．6．3 邏輯綜合
6．6．4 硅編譯器（Silicon
Compiler）
6．7 模擬集成電路的 CAD
6．7．1 模擬集成電路和系統(tǒng)的特點
6．7．2 研究方向
6．8 統(tǒng)計模擬和優(yōu)化設計
6．8．l 集成電路的統(tǒng)計模擬
6．8．2 集成電路的統(tǒng)計設計
第7章 IC設計舉例與設計實踐
7．1 雙極模擬電路設計實例
7．1．1 mA741直流工作狀態(tài)分析
7．1．2 mA741運算放大器版圖設計分析
7．2 CMOS數(shù)字電路設計實例
參考文獻