注冊 | 登錄讀書好,好讀書,讀好書!
讀書網(wǎng)-DuShu.com
當(dāng)前位置: 首頁出版圖書科學(xué)技術(shù)工業(yè)技術(shù)自動化技術(shù)、計(jì)算技術(shù)現(xiàn)代電子線路(上)

現(xiàn)代電子線路(上)

現(xiàn)代電子線路(上)

定 價:¥30.00

作 者: 王志剛主編
出版社: 清華大學(xué)出版社
叢編項(xiàng): 國家電工電子教學(xué)基地系列教材
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787810821223 出版時間: 2003-04-01 包裝: 平裝
開本: 23cm 頁數(shù): 362 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡介

  《現(xiàn)代電子線路(上)》共9章,分上、下兩冊。上冊4章,包括:第1章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ);第2章放大器基礎(chǔ);第3章集成運(yùn)算放大器基礎(chǔ);第4章集成運(yùn)算放大器應(yīng)用。本教材大量精簡了分立元件電路的分析設(shè)計(jì)篇幅,加強(qiáng)了專用新器件和應(yīng)用技術(shù)的介紹。例如,在第3章中介紹了測量放大器、互導(dǎo)放大器、緩沖放大器、電壓比較器和電源限(rail-to-rail)放大器原理;第4章在經(jīng)典內(nèi)容增加了許多運(yùn)算放大器應(yīng)用的實(shí)際知識。《現(xiàn)代電子線路(上)》上下兩冊適合總學(xué)時為120~200(兩個學(xué)期)的本科教學(xué)用。本教材強(qiáng)調(diào)集成電路,強(qiáng)調(diào)應(yīng)用原理和應(yīng)用技術(shù),增加了一些從事模擬電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的入門知識,也可供本科畢業(yè)生、研究生和從事實(shí)際電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程師參考。

作者簡介

暫缺《現(xiàn)代電子線路(上)》作者簡介

圖書目錄

第1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)
1. 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識
1. 1. l 本征半導(dǎo)體
1. 1. 2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
1. 1. 3 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)制
1. 2 PN結(jié)
1. 2. l 平衡狀態(tài)下的PN結(jié)
1. 2. 2 PN結(jié)的伏安特性
1. 2. 3 擴(kuò)散電容
1. 2. 4 反向擊穿與穩(wěn)壓二極管
1. 2. 5 PN結(jié)的其他應(yīng)用
**1. 2. 6 肖特基結(jié)和歐姆接觸
**1. 2. 7 PN結(jié)伏安特性方程的推導(dǎo)
1. 3 二極管應(yīng)用基礎(chǔ)
1. 3. 1 二極管伏安特性及其模型
1. 3. 2 二極管大信號應(yīng)用舉例
1. 3. 3 二極管小信號應(yīng)用舉例
1. 4 雙極型晶體管原理
1. 4. 1 雙極型晶體管工作原理和Ebers-Moll模型
1. 4. 2 四個工作區(qū)及伏安特性曲線
1. 4. 3 對Ebers-Moll模型的修正
**1. 4. 4 Ebers-Moll模型(晶體管伏安特性的解析方程)推導(dǎo)
1. 5 晶體管應(yīng)用基礎(chǔ)
1. 5. 1 開關(guān)應(yīng)用
1. 5. 2 晶體管用于線性放大原理
1. 5. 3 晶體管靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置
1. 5. 4 小信號等效電路
1. 6 場效應(yīng)晶體管
1. 6. 1 場效應(yīng)管的基本原理
1. 6. 2 增強(qiáng)型N溝道MCSFET
1. 6. 3 其他三種MCBFET
1. 6. 4 結(jié)型場效應(yīng)晶體管
1. 6. 5 場效應(yīng)晶體管的應(yīng)用
**l. 6. 6 功率MCBFET. 電可擦寫只讀存儲器
習(xí)題
第2章 放大器基礎(chǔ)
2. 1 放大器基本概念及主要性能指標(biāo)
2. 1. l 放大器主要性能指標(biāo)
2. 1. 2 放大器的四種類型
2. 2 分立元件晶體管放大器
2. 2. 1 BJT三種組態(tài)基本放大器
2. 2. 2 FET三種組態(tài)基本放大器
2. 2. 3 晶體管基本放大器的缺點(diǎn)及改進(jìn)措施
2. 3 分立元件差分放大器
2. 3. 1 電路結(jié)構(gòu)
2. 3. 2 理想情況下差分放大器特性
2. 3. 3 非理想情況下差分放大器特性
2. 3. 4 FET差分放大器
2. 4 放大器頻率響應(yīng)
2. 4. l 頻率響應(yīng)及其表示方法
2. 4. 2 基本組態(tài)放大器頻率響應(yīng)
2. 4. 3 組合態(tài)放大器的頻率響應(yīng)
2. 5 放大器中的反饋
2. 5. 1 反饋放大器基本概念
2. 5. 2 負(fù)反饋降低靈敏度
2. 5. 3 負(fù)反饋改善失真
2. 5. 4 四種負(fù)反饋
2. 5. 5 負(fù)反饋對放大器其他性能的影響
習(xí)題
第3章 集成運(yùn)算放大器基礎(chǔ)
3. l 雙極型晶體管集成運(yùn)放
3. 1. l 集成運(yùn)算放大器基本結(jié)構(gòu)
3. 1. 2 電流鏡和電平移動電路
3. 1. 3 典型集成運(yùn)放 A-741電路分析
**3. 1. 4 集成電路中的晶體管知識
3. 2 CMOS和BIFET集成運(yùn)放
3. 2. 1 MOS電流鏡
3. 2. 2 CMOS差分增益級
3. 2. 3 恒壓源
3. 2. 4 CMOS反相器
3. 2. 5 輸出級
3. 2. 6 CMOS集成運(yùn)放的實(shí)例
3. 2. 7 BiFET集成運(yùn)放
3. 3 運(yùn)放的頻率特性及大信號運(yùn)用
3. 3. 1 放大器的穩(wěn)定性及其指標(biāo)
3. 3. 2 頻率補(bǔ)償
3. 3. 3 大信號運(yùn)用
3. 4 專用運(yùn)放
3. 4. 1 測量放大器
3. 4. 2 互導(dǎo)放大器
3. 4. 3 緩沖放大器(電壓跟隨器)
3. 4. 4 電壓比較器
3. 4. 5 電源限放大器
3. 5 寬帶高速放大器
3. 5. 1 電壓反饋運(yùn)放
3. 5. 2 輸人級發(fā)射極串聯(lián)電阻降低互導(dǎo)
3. 5. 3 場效應(yīng)管輸人級結(jié)構(gòu)
3. 5. 4 折疊式級聯(lián)結(jié)構(gòu)輸入級
3. 5. 5 甲乙類(AB類)推挽輸人級高速放大器
3. 5. 6 電流反饋運(yùn)放
**3. 6 電流模電路
3. 6. 1 引言
3. 6. 2 跨導(dǎo)線性原理
3. 6. 3 電流模電路實(shí)例分析
3. 6. 4 電流模電路舉例
3. 7 模擬集成電路常識
3. 7. 1 工藝線寬和特征尺寸
3. 7. 2 半導(dǎo)體材料及模擬集成電路工藝發(fā)展現(xiàn)狀
3. 7. 3 環(huán)境溫度. 電源電壓等對運(yùn)放性能的影響
習(xí)題
第4章 集成運(yùn)算放大器應(yīng)用
引言
4. 1 通用集成運(yùn)放的模型和特性參數(shù)
4. 1. 1 運(yùn)算放大器的電路符號
4. l. 2 主要特性參數(shù)
4. 1. 3 運(yùn)算放大器的模型
4. 2 信號運(yùn)算電路
4. 2. 1 運(yùn)算放大器的三種基本輸人形式
4. 2. 2 基本運(yùn)算電路
4. 2. 3 實(shí)際集成運(yùn)算放大器的運(yùn)算特性
4. 3 特殊用途運(yùn)算放大器
4. 3. 1 測量放大器
4. 3. 2 程控增益放大器
4. 3. 3 采樣/保持器
4. 4 集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用
4. 4. l 有源濾波器
4. 4. 2 精密二極管電路
4. 4. 3 電壓-電流變換器
4. 5 比較器
4. 5. l 比較器的基本原理
4. 5. 2 單片集成電壓比較器
4. 5. 3 比較器的應(yīng)用
4. 6 正確使用集成運(yùn)算放大器
4. 6. l 集成運(yùn)放的型號選擇
4. 6. 2 正確使用性能參數(shù)
4. 6. 3 為輸人偏置電路提供直流通路
4. 6. 4 合理選擇外部電路元件
4. 6. 5 供電電源的去耦問題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)

本目錄推薦

掃描二維碼
Copyright ? 讀書網(wǎng) www.autoforsalebyowners.com 2005-2020, All Rights Reserved.
鄂ICP備15019699號 鄂公網(wǎng)安備 42010302001612號