光電成像原理

第一章緒論
§1.1光電成像原理的產(chǎn)生及發(fā)展
§1.2光電成像對(duì)視見(jiàn)光譜域的延伸
§1.3光電成像對(duì)視見(jiàn)靈敏閾的擴(kuò)展
§1.4光電成像器件的類型
§1.5光電成像的特性
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第二章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
§2.1半導(dǎo)體的能帶理論
§2.2半導(dǎo)體中載流子濃度的分布理論
§2.3載流子濃度與費(fèi)米能級(jí)
§2.4載流子在半導(dǎo)體中的輸運(yùn)現(xiàn)象
§2.5非平衡載流子的復(fù)合理論
§2.6半導(dǎo)體中非平衡載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律
§2.7P-N結(jié)
§2.8半導(dǎo)體的表面
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第三章直視型電真空成像原理
§3.1像管成像的物理過(guò)程
§3.2像管的類型與結(jié)構(gòu)
§3.3像管的主要特性與參數(shù)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第四章輻射圖像的光電轉(zhuǎn)換
§4.1光電發(fā)射的物理模型
§4.2電子受激躍遷的半經(jīng)典分析
§4.3受激電子向表面遷移過(guò)程的分析
§4.4電子逸出表面過(guò)程的分析
§4.5典型實(shí)用光陰極
§4.6光電發(fā)射的極限電流密度
§4.7光陰極面發(fā)射電子過(guò)渡過(guò)程的分析
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第五章電子圖像的成像理論
§5.1電子光學(xué)的基本方程
§5.2旋轉(zhuǎn)對(duì)稱場(chǎng)中的場(chǎng)方程
§5.3靜電磁場(chǎng)中帶電粒子的運(yùn)動(dòng)
§5.4電子透鏡
§5.5典型電子光學(xué)系統(tǒng)的分析
§5.6電子槍簡(jiǎn)介
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第六章電子圖像的發(fā)光顯示
§6.1熒光屏的構(gòu)成
§6.2熒光層的發(fā)光理論
§6.3熒光屏的發(fā)光動(dòng)力學(xué)
§6.4典型熒光屏的發(fā)光機(jī)理
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第七章光學(xué)圖像的傳像與電子圖像的倍增
§7.1光學(xué)纖維面板
§7.2微通道板
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第八章電視型電真空成像原理
§8.1電視攝像的基本原理
§8.2攝像管的基本原理和分類
§8.3攝像管的主要特性參數(shù)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第九章光電導(dǎo)攝像原理
§9.1注入型光電導(dǎo)靶
§9.2氧化鉛光電導(dǎo)靶
§9.3硅二極管列陣光電導(dǎo)靶
§9.4異質(zhì)結(jié)光電導(dǎo)靶
§9.5光電導(dǎo)視像管參數(shù)的比較
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第十章光電發(fā)射型的攝像原理
§10.1超正析攝像管
§10.2二次電子導(dǎo)電攝像管
§10.3電子轟擊型硅靶攝像管
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第十一章熱釋電攝像管
§11.1熱釋電攝像管的構(gòu)成與特點(diǎn)
§11.2熱釋電攝像管的工作原理
§11.3熱釋電攝像管的特性
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第十二章紅外探測(cè)器
§12.1紅外探測(cè)器的分類
§12.2紅外探測(cè)器的工作條件和性能參數(shù)
§12.3光電導(dǎo)探測(cè)器
§12.4SPRITE探測(cè)器
§12.5光伏探測(cè)器
§12.6熱釋電探測(cè)器
§12.7肖特基勢(shì)壘光電探測(cè)器
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第十三章電荷耦合器件
§13.1CCD的物理基礎(chǔ)
§13.2CCD的工作原理和結(jié)構(gòu)
§13.3CCD的物理性能
§13.4電荷耦合攝像器件(CCID)
§13.5CCID的特性參數(shù)與分析
§13.6微光電荷耦合成像器件
§13.7紅外電荷耦合器件(IR-CCD)
§13.8CCD的現(xiàn)狀與其他固態(tài)攝像器件
習(xí)題