面發(fā)射激光器基礎(chǔ)與應(yīng)用

第1章 概述
1.1 何謂面發(fā)射激光器
1.2 面發(fā)射激光器的構(gòu)造與特征
1.3 面發(fā)射激光器的歷史
1.4 面發(fā)射激光器的應(yīng)用范圍
第2章 面發(fā)射激光器的發(fā)射條件與工作
2.1 面發(fā)射激光器的閥值
2.2 光輸出與效率
2.3 面發(fā)射激光器中的載流子和光封閉
2.4 模式與光束
2.5 極限特性
第3章 面發(fā)射激光器用反射鏡的設(shè)計(jì)與制作方法
3.1 面發(fā)射激光器用諧振腔
3.2 分布布拉格反射鏡的設(shè)計(jì)
3.3 介質(zhì)分布布拉格反射鏡
3.4 半導(dǎo)體分布布拉格反射鏡
3.5 多層膜反射鏡形成中的膜后宏旨與評(píng)價(jià)
3.6 采用多層膜反射鏡的面發(fā)射激光器用諧振腔
第4章 極微構(gòu)造的形成與期間制作技術(shù)
4.1 光刻法
4.2 干法刻蝕
4.3 電極的形成
第5章 長(zhǎng)波長(zhǎng)帶的面發(fā)射激光器
5.1 GaInAsP/InP系列面發(fā)射激光器及其特性
5.2 連續(xù)工作條件與熱特性
5.3 晶片熔接方法
5.4 GaInNAs才老的長(zhǎng)波長(zhǎng)面發(fā)射激光器
5.5 GaAlInAs材料的長(zhǎng)波長(zhǎng)帶面發(fā)射激光器
5.6 量子點(diǎn)和它的新構(gòu)成方法
第6章 0.98μM波帶GaInAs/GaAs系列面發(fā)射激光器
6.1 量子阱與增益
6.2 器件構(gòu)造
6.3 AlAs氧化法與模的控制
6.4 有關(guān)氧化膜窄化面發(fā)射激光器的考察
第7章 利用傾斜襯底的面發(fā)射激光器及其偏振波控制
7.1 傾斜襯底及特征
7.2 面發(fā)射激光器的偏振波模式控制和研究過(guò)程
7.3 傾斜襯底上的晶體生長(zhǎng)和器件設(shè)計(jì)
7.4 傾斜襯底上的面發(fā)射激光器的工作特性
7.5 傾斜襯底上的面發(fā)射激光器的偏振特性
第8章 紅色和近紅外波長(zhǎng)帶的面發(fā)射激光器
8.1 0.85μM帶的面發(fā)射激光器及特性
8.2 0.78μM帶的面發(fā)射激光器及特性
8.3 0.65μM帶的紅色ALGAINP系列面發(fā)射激光器
第9章 藍(lán)色GAINN/GAN系列面發(fā)射激光器
9.1 器件設(shè)計(jì)
9.2 晶體生長(zhǎng)法
9.3 器件的制作與特性
9.4 面發(fā)射激光器的設(shè)計(jì)
第10章 面發(fā)射激光器和自發(fā)輻射控制
10.1 諧振腔與發(fā)輻射控制
10.2 面發(fā)射激光器中的自發(fā)輻射控制
10.3 光子再循環(huán)
10.4 自發(fā)輻射控制的驗(yàn)證
第11章 面發(fā)射激光器的調(diào)制特性和光傳輸
11.1 面發(fā)射激光器的調(diào)制限制
11.2 振蕩延遲時(shí)間
11.3 高速調(diào)治特性
11.4 光纖傳輸實(shí)驗(yàn)
第12章 面發(fā)射激光器與功能集成
12.1 面發(fā)射激光器與集成
12.2 多波長(zhǎng)集成陣列
12.3 波長(zhǎng)掃描機(jī)構(gòu)的集成
12.4 二維陣列
12.5 與電子器件的集成
12.6 近場(chǎng)光生成方面的應(yīng)用
第13章 向超并列光電子學(xué)方面的發(fā)展
13.1 應(yīng)用系統(tǒng)的發(fā)展
13.2 并列自導(dǎo)引結(jié)合法與并列光子系統(tǒng)
13.3 通向超并列之路
結(jié)束語(yǔ)
索引