微電子技術(shù)基礎(chǔ)：雙極、場效應(yīng)晶體管原理

第一章 PN結(jié)
1.1 平衡PN結(jié)
1.1.1 內(nèi)建電場和內(nèi)建電勢
1.1.2 耗盡近似
1.1.3 準中性近似
1.2 空間電荷區(qū)的電場和電勢分布
1.2.1 突變結(jié)空間電荷區(qū)的電場及電勢
1.2.2 線性緩變結(jié)空間電荷區(qū)的電場及電勢
1.2.3 自由載流子對空間電荷區(qū)電場分布的影響
1.2.4 單邊窮變結(jié)中的反型區(qū)
1.2.5 線性緩變結(jié)中耗盡近似的適用條件
1.3 直流特性
1.3.1 少子的注人和抽取
1.3.2 準費米能級
1.3.3 二極管定律
1.3.4 大注入
1.3.5 空間電荷區(qū)的產(chǎn)生-復(fù)合電流
1.4 過渡區(qū)電容和擴散電容
1.4.1 過渡區(qū)電容
1.4.2 擴散電容
1.4.3 正偏電容
1.5 頻率特性和開關(guān)特性
1.5.1 小信號工作和大信號工作
1.5.2 小信號等效電路
1.5.3 電荷控制方程
1.5.4 反向恢復(fù)時間
1.6 PN結(jié)的電擊穿
1.6.1 電擊穿現(xiàn)象
1.6.2 雪崩擊穿
1.6.3 隧道擊穿
習(xí)題
參考文獻
第二章 雙極晶體管的直流特性
2.1 雙極晶體管的結(jié)構(gòu)
2.1.1 何謂雙極晶體管
2.1.2 雙極晶體管的結(jié)構(gòu)
2.2 雙極晶體管中的電流傳輸
2.2.1 理想晶體管中的電流傳輸
2.2.2 緩變基區(qū)
2.2.3 雙擴散晶體管的基區(qū)渡越時間和根摩爾數(shù)
2.2.4 重摻雜發(fā)射區(qū)
2.3 電流增益
2.3.1 定義
2.3.2 本征電流增益
2.3.3 影響電流增益的其他因素
2.4 E-M方程
2.4.1 原始型E-M方程
2.4.2 傳輸型E-M方程
2.4.3 共發(fā)射極反向電流增益
2.4.4 特性曲線
2.5 大電流效應(yīng)和基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)
2.5.1 大電流效應(yīng)
2.5.2 基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)
2.6 直流參數(shù)及基極電阻
2.6.1 反向電流
2.6.2 擊穿電壓
2.6.3 飽和壓降
2.6.4 基極電阻
習(xí)題
參考文獻
第三章 雙極晶體管的頻率特性和瞬變特性
3.1 小信號模型
3.1.1 小信號參數(shù)和小信號等效電路
3.1.2 混合π模型
3.2 特征頻率和截止頻率
3.2.1 特征頻率和共發(fā)射極短路電流增益截止頻率
3.2.2 α截止頻率和超相移
3.3 功率增益和最高振蕩頻率
3.3.1 最大有效功率增益
3.3.2 穩(wěn)定工作條件
3.3.3 雙極晶體管的共發(fā)射極高頻最大有效功率增益
3.3.4 最高振蕩頻率和高頻性能優(yōu)值
3.4 開關(guān)工作和開關(guān)時間
3.4.1 開關(guān)工作
3.4.2 靜態(tài)特性
3.4.3 開關(guān)時間
3.5 GP模型
習(xí)題
參考文獻
第四章 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
4.1 MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理和類型
4.1.1 結(jié)構(gòu)
4.1.2 工作原理
4.1.3 類型
4.2 閾電壓
4.2.1 定義、基本假定和基本關(guān)系
4.2.2 VBS=0時的閾電壓
4.2.3 VBS≠0時的閾電壓
4.2.4 離子注入摻雜調(diào)整閾電壓
4.2.5 埋溝MOSFET的閾電壓
4.3 MOSFET的直流特性
4.3.1 共源極輸出特性曲線
4.3.2 非飽和區(qū)電流-電壓方程
4.3.3 飽和區(qū)特性
4.3.4 擊穿特性
4.3.5 亞閾值特性
4.4 小信號特性和瞬變特性
4.4.1 小信號參數(shù)
4.4.2 本征電容
4.4.3 小信號模型
4.4.4 高頻響應(yīng)
4.4.5 開關(guān)特性
4.5 短溝道效應(yīng)
4.5.1 概述
4.5.2 短窄溝效應(yīng)
4.5.3 遷移率調(diào)制效應(yīng)
4.5.4 漏場感應(yīng)勢壘下降（DIBL）效應(yīng)
4.5.5 長溝道亞閾值特性的最小溝道長度
習(xí)題
參考文獻
第五章 結(jié)型場效應(yīng)晶體管和金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
5.1 JFET及MESFET的結(jié)構(gòu)、工作原理和類型
5.2 JFET及MESFET的直流特性
5.2.1 長溝JFET的共源輸出特性曲線
5.2.2 肖克萊模型的基本假定
5.2.3 閾電壓和夾斷電壓
5.2.4 非飽和區(qū)直流電流電壓方程
5.2.5 飽和漏源電壓和飽和漏電流
5.2.6 飽和區(qū)特性
5.2.7 亞閾值區(qū)特性
5.2.8 增強型JFET及增強型MESFET
5.3 JFET及MESFET的小信號特性和高頻參數(shù)
5.3.1 小信號參數(shù)
5.3.2 本征JFET的小信號等效電路和本征電容
5.3.3 JFET的完整的小信號等效電路
5.3.4 高頻參數(shù)
5.4 短溝道JFET和短溝道MESFET
5.4.1 短溝道JFET和短溝道MESFET的非飽和區(qū)特性及漏極電流飽和機構(gòu)
5.4.2 短溝道MESFET的飽和區(qū)特性
習(xí)題
參考文獻
附錄
附錄A 符號表
附錄B 物理常數(shù)和物理參數(shù)
B.1 物理常數(shù)（符號）
B.2 Si和GaAs的一些物理特性
B.3 電阻率和遷移率隨雜質(zhì)濃度的變化曲線
附錄C 晶體管的熱特性
C.1 耗散功率與效率
C.2 最高結(jié)溫度
C.3 穩(wěn)態(tài)熱阻和最大耗散功率
C.4 瞬態(tài)熱阻抗